CVD法生长ZnSe的工艺分析

人工晶体学报, 2004, 33(2): 235-237. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025

CVD法生长ZnSe的工艺分析

王向阳 ^1, , 方珍意 ^2, , 蔡以超 ^3, , 张力强 ^4, , 肖红涛 ^5,

1.中非人工晶体研究院,北京,100018

2.中非人工晶体研究院,北京,100018

3.中非人工晶体研究院,北京,100018

4.中非人工晶体研究院,北京,100018

5.中非人工晶体研究院,北京,100018

关键词：化学气相沉积 , 硒化锌 , 工艺分析

Technical Analysis of CVD ZnSe Growth by Se Method

采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%.

参考文献

[1]	Miles P .High Transparency Infrared Materials-A Technology Update[J].Optical Engineering,1976,15:451.
[2]	Goela J S;Taylor R L .Monolithic Material Fabrication by Chemical Vapour Deposition[J].Journal of Materials Science,1988,23:4331.
[3]	山口刚司;难波宏邦 et al.セレン化亚铅の制造方法[P].JP:昭55-130805,1980.
[4]	Hartmann H;Hildisch H et al.Morphological Stability and Crystal Structure of CVD-growth Zinc Selenide[J].Journal of Materials Science,1988,26:4917.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

CVD法生长ZnSe的工艺分析

Technical Analysis of CVD ZnSe Growth by Se Method

参考文献