工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

人工晶体学报, 2004, 33(2): 238-240. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026

工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

杨曜源 ^1, , 蔡以超 ^2, , 东艳苹 ^3, , 张力强 ^4, , 王向阳 ^5, , 肖红涛 ^6, , 田鸿昌 ^7, , 李卫 ^8, , 郝永亮 ^9, , 方珍意 ^10,

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关键词：红外材料 , ZnS , CVD , 沉积速率

Effect of Technical Parameters on Deposition Rate of CVD ZnS

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.

参考文献

[1]	张青莲.无机化学丛书[M].北京:科学出版社,1990:450-510.
[2]	薛增泉;吴金德;李浩.薄膜物理[M].北京:电子工业出版社,1991:328-355.
[3]	Hartmann H .Morphological Stability and Crystal Structure of CVD-grown Zinc Selenide[J].Journal of Materials Science,1991,26:4917-4923.

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