采用高纯(99.995%)、超细的金红石(TiO2)粉末为起始原料,用燃熔法制备了尺寸为30mm×50mm的金红石(TiO2)单晶体.讨论了生长气氛、生长速度、温度梯度在晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率,并与商用晶体的透过率进行了比较.实验表明:生长气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的必要条件;在此条件下,能否生长为大尺寸晶体则取决于炉膛的轴向温度梯度;晶体在退火过程中可消除热应力,但退火更重要的作用是通过氧化反应消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间;所制备的晶体完整性较好,透过率与商用晶体基本一致.
参考文献
[1] | Hatta K.;Takahashi J.;Kodaira K.;Higuchi M. .FLOATING ZONE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ALUMINUM-DOPED RUTILE SINGLE CRYSTALS[J].Journal of Crystal Growth,1996(3):279-284. |
[2] | 张克从.近代晶体学基础[M].北京:科学出版社,1987 |
[3] | Mikio Higuchi;Kohei Kodaria .Effect of ZrO2 Addition on FZ Growth of Rutile Single Crystal[J].Journal of Crystal Growth,1992,123:495-499. |
[4] | Mikio Higuchi et al.Floating-zone Growth of Rutile Single Crystals Inclined at 48° to the C-axis[J].Journal of Crystal Growth,2000,208:501-507. |
[5] | Mikio Higuchi et al.Effects of Sc2O3 Addition on Floating Zone Growth of Rutille Single Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1992,125:571-575. |
[6] | Mikio Higuchi et al.Growth of Rutile Single Crystals by Floating Zone Method[J].Journal of Crystal Growth,1991,112:354-358. |
[7] | Hagfeldt A;Siegbahn H;Lindguist S;Lunell S .Semiempirical Calculations of TiO2 (rutile) Cluster[J].International Journal of Quantum Chemistry,1992(44):477-495. |
[8] | 高瑞平;李晓光.先进陶瓷物理化学原理及技术[M].北京:科学出版社,2001:45-90. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%