6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

人工晶体学报, 2004, 33(3): 288-291. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.002

6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

韩荣江 ^1, , 王继扬 ^2, , 胡小波 ^3, , 徐现刚 ^4, , 董捷 ^5, , 李现祥 ^6, , 蒋民华 ^7,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

7.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA311080) 国家自然科学基金(60025409)

关键词：透射偏光显微术 , 同步辐射X射线形貌术 , 高分辨X射线衍射 , 6H-SiC单晶 , 微管 , 小角度晶界

Micropipe and Low-angle Grain Boundaries in 6H-SiC Single Crystal

利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC(0001)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究.实验发现,在透射偏光显微镜下,微管通常呈现为蝴蝶形,这是由于微管周围存在着应力场,且应力分布不均匀,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的.从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在2c到10c之间.从晶片00012衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出,晶片的中间大部分区域质量很好,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄,一般为35"左右.在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽,有些区域还会出现衍射峰的分裂,这说明外围区域有嵌镶块结构存在.

参考文献

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