6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌

人工晶体学报, 2004, 33(3): 335-338. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.013

6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌

韩荣江 ^1, , 王继扬 ^2, , 胡小波 ^3, , 董捷 ^4, , 李现祥 ^5, , 李娟 ^6, , 王丽 ^7, , 徐现刚 ^8, , 蒋民华 ^9,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

7.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

8.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

9.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA311080) 国家自然科学基金(60025409)

关键词： 6H-SiC单晶 , 表面生长形貌 , 生长台阶 , 韵律束合现象

Surface Growth Morphology of (0001) Si-face of 6H-SiC Single Crystal

利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象.在单晶中间部分,生长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20～50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋.外围单晶区域,生长台阶比较密集,其台阶高度较大,约300～700nm,台面宽度较小,约2～5μm.生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响,在微管的附近出现弯曲.

参考文献

[1]	Kimoto T;Nishino H;Yoo W S;Matsunami H .Growth Mechanism of 6H-SiC in Step Controlled Epitaxy[J].Journal of Applied Physics,1993,73:726.
[2]	T airov Yu M;Tsvetkov V F .Investigation of Growth Processes of Ingots of Silicon Carbide Single Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1978,43:209.
[3]	Liu L.;Edgar JH. .Substrates for gallium nitride epitaxy [Review][J].Materials Science & Engineering, R. Reports: A Review Journal,2002(3):61-127.
[4]	Frank FC .Capillary Equilibria of Dislocated Crystals[J].Acta Crystallographica,1951,4:497.
[5]	Pirouz P .[J].Philosophical Magazine A:Physics of Condensed Matter:Structure,Defects and Mechanical Properties,1998,78(03):727.
[6]	Hartwig J.;Baruchel J.;Kuhn H.;Huang XR.;Dudley M.;Pernot E. .X-ray "magnifying" imaging investigation of giant Burgers vector micropipe-dislocations in 4H-SiC[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms,2003(0):323-328.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网