新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应

人工晶体学报, 2004, 33(5): 845-847. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.034

新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应

李果华 ^1, , 孙艳宁 ^2, , ^3, , 严辉 ^4, , ^5,

1.北京工业大学量子材料实验室,北京,100022;江南大学理学院,无锡214063

2.耶鲁大学电子工程系,New Haven,CT 06520,USA

3.耶鲁大学电子工程系,New Haven,CT 06520,USA

4.北京工业大学量子材料实验室,北京,100022

5.奥尔良卫生与科学大学电子及计算机工程系,Beaverton,OR 97006,USA

关键词：磷化铟薄膜太阳电池 , 漂移机制 , 光谱响应

Spectral Response of a Novel Design of InP Single Crystal Thin Film Solar Cells

为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池.本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有较好的响应.有望获得高效率的应用于AM0条件的InP太阳电池.此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器.

参考文献

[1]	Masafumi Yamaguchi;Koushi Ando .Mechanism of Radiation Resistance of InP Solar Cells[J].Journal of Applied Physics,1988,63(11):5555-5562.

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Spectral Response of a Novel Design of InP Single Crystal Thin Film Solar Cells

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