CVT法生长GaP多晶

人工晶体学报, 2004, 33(5): 860-862. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.037

CVT法生长GaP多晶

王向阳 ^1, , 何莉 ^2, , 田鸿昌 ^3, , 东艳萍 ^4, , 蔡以超 ^5,

1.人工晶体研究院,北京,100018

2.人工晶体研究院,北京,100018

3.人工晶体研究院,北京,100018

4.人工晶体研究院,北京,100018

5.人工晶体研究院,北京,100018

关键词： CVT(化学气相输运) , GaP多晶 , 红外窗口材料

Polycrystalline GaP Growth by CVT Method

阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

参考文献

[1]	劳迪斯R A;刘光照.单晶生长[M].北京:科学出版社,1979:273-294.
[2]	Fang CS.;Wei JQ.;Pan QW.;Shi W.;Wang JY.;Gu QT. .Growth of ZnSe single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2000(2/3):542-546.
[3]	王向阳.8-14μm红外波段的窗口材料[J].人工晶体学报,1995(04):358.
[4]	Antell G R .Investigation of a Method Growing Crystals of GaP and GaAs from the Vapour Phase[J].British Journal of Applied Physics,1961,12:687-690.
[5]	Han Y.;Akinc M. .ZINC SULFIDE/GALLIUM PHOSPHIDE COMPOSITES BY CHEMICAL VAPOR TRANSPORT[J].Journal of the American Ceramic Society,1995(7):1834-1840.

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Polycrystalline GaP Growth by CVT Method

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