γ-LiAlO2晶体的退火研究

人工晶体学报, 2004, 33(6): 922-925. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.010

γ-LiAlO2晶体的退火研究

邹军 ^1, , 彭观良 ^2, , 陈俊华 ^3, , 钱晓波 ^4, , 李抒智 ^5, , 杨卫桥 ^6, , 周国清 ^7, , 徐军 ^8, , 周圣明 ^9,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

6.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

7.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

8.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

9.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

关键词：温度梯度法 , 退火 , γ-LiAlO2 , VTE

Annealing Study of γ-LiAlO2 Crystal Grown by Temperature Gradient Technique

利用温度梯度法生长出了透明的γ-LiAlO2单晶,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的(001)晶片表面结构的影响.结果表明:1100℃/70h空气和真空中的退火处理使γ-LiAlO2晶片表层变成LiAl5O8多晶,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发,保持了晶格完整性并且提高了晶体质量.

参考文献

[1]	Ponce F A;Bour D P .Nitride-based Semiconductors for Blue and Green Light-emitting Devices[J].Nature,1997,386:351-359.
[2]	Iwata K;AsahiH;Asami K 等.Gas Source Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN on C-,A-,R-and M-plane Sappire and Silica Glass Substrates[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36:L661-664.
[3]	Liu L;Edgar J H .Substrate for Gallium Nitride Epitaxy[J].Materials Science and Engineering,2002,R37:61-127.
[4]	Xu Ke;XuJun;Deng Peizhen et al.γ-LiA1O2 Single Crystal: a Novel Substrate for GaN Epitaxy[J].Journal of Crystal Growth,1998,193:127-132.
[5]	WALTEREIT P;Brandt O;Trampert A 等.Nitride Semiconduetors Free of Electrostatic Fields for Efficient White Light-emitting Diodes[J].Letters To Nature,2000,406:865-867.
[6]	Ng H M .Molecular-beam Epitaxy of GaN/AlxGa1-xN Multiple Quantum Wells on R-plane(10-12)Sappire Substrates[J].Applied Physics Letters,2002,80:4369.
[7]	Bordui P F;Norwood R G;Jundt D H 等.Preparation and Characterization ofOff-congruent LithiumNiobate Crystals[J].Journal of Applied Physics,1992,71(02):875-879.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

γ-LiAlO2晶体的退火研究

Annealing Study of γ-LiAlO2 Crystal Grown by Temperature Gradient Technique

参考文献