单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素.本文通过对比实验的方法,就采用CMP(chemical mechanical polish)工艺获取超光滑单晶基片做了深入的观察研究,并通过AFM(atomicforce microscope)的最终检测结果给出具有说服力的结论.
参考文献
| [1] | America W G.The Influence of pH and Temperature on Polish Rates and Selectivity of Silicon Dioxide and Nitride Films[J].MRS,1999:566. |
| [2] | Hiroyuki Yano.The Study of Oxide Planarization Using a Grindstone[J].MRS,1999:566. |
| [3] | 夏宗仁,李春忠,崔坤.声表面波器件用Y36°切LiTaO3晶片表面加工研究[J].人工晶体学报,2001(04):419-421. |
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