La3Ga5SiO14晶体压电系数的温度特性

人工晶体学报, 2005, 34(1): 65-69. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.015

La3Ga5SiO14晶体压电系数的温度特性

赵明磊 ^1, , 王增梅 ^2, , 袁多荣 ^3, , 王矜奉 ^4, , 王春雷 ^5, , 王渊旭 ^6,

1.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

5.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

6.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

基金项目: 山东省自然科学基金(Z2003F04) 国家自然科学基金(50372034)

关键词： LGS晶体 , 旋转Y切 , 压电常数

Temperature Properties of Piezoelectric Constant of La3Ga5SiO14 Piezoelectric Crystal

测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.

参考文献

[1]	Hiroaki S;Atsushi M .Surface Acoustics Wave Propagation Characteristics on a Langasite Crystal Plate[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36:3071-3073.
[2]	Takashi S et al.Characteristics of Surface Acoustic Waves Propagating on a La3Ga5SiO14 Substrate[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36:3068-3070.
[3]	Bohm J.;Flannery C.;Frohlich HJ.;Hauke T.;Heimann RB. Hengst M.;Straube U.;Chilla E. .Czochralski growth and characterization of piezoelectric single crystals with langasite structure: La3Ga5SiO14 (LGS), La3Ga5.5Nb0.5O14 (LCN) and La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT) II. Piezoelectric and elastic properties[J].Journal of Crystal Growth,2000(1/4):293-298.
[4]	武安华,徐家跃.La3Ga5SiO14单晶的生长、性能及SAW应用[J].人工晶体学报,2002(06):559-564.
[5]	王继扬,韩荣江,尹鑫,张怀金,胡小波,邵宗书,蒋民华.硅酸镓镧晶体研究进展[J].功能材料,2003(01):9-12,16.
[6]	Masatoshi Adachi;Tomoaki Karaki;Wataru Miyamoto .Surface Acoustic Wave Properties of La_3Ga_5SiO_(14) (LANGASITE) Single Crystals[J].Japanese journal of applied physics,1999(5B Pt.1):3283-3287.

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Temperature Properties of Piezoelectric Constant of La3Ga5SiO14 Piezoelectric Crystal

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