ZnSe单晶生长及性能研究

人工晶体学报, 2005, 34(2): 215-218. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.005

ZnSe单晶生长及性能研究

卢利平 ^1, , 刘景和 ^2, , 李建立 ^3, , 万玉春 ^4, , 张亮 ^5, , 曾繁明 ^6,

1.长春理工大学材料与化工学院,长春,130022

2.长春理工大学材料与化工学院,长春,130022

3.长春理工大学材料与化工学院,长春,130022

4.长春理工大学材料与化工学院,长春,130022

5.长春理工大学材料与化工学院,长春,130022

6.长春理工大学材料与化工学院,长春,130022

基金项目: 兵器工业总公司资助项目(GDZX2003)

关键词： ZnSe单晶 , 物理气相输运法 , 高压坩埚下降法 , 透过率

Growth of ZnSe Single Crystal and Its Optical Properties

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%.

参考文献

[1]	顾庆天.高质量ZnSe单晶的研究[J].人工晶体学报,1998(03):237.
[2]	王向阳.8-14μm红外波段的窗口材料[J].人工晶体学报,1995(04):358.
[3]	V. I. Kozlovsky;Yu. V. Korostelin;A. I. Landman;Yu. P. Podmar'kov;M. P. Frolov .Efficient lasing of a Cr~(2+):ZnSe crystal grown from a vapour phase[J].Quantum electronics,2003(5):408-410.
[4]	纪世华.军用光电设备红外窗口技术及发展[J].应用光学,1996(02):8-14.
[5]	李焕勇,介万奇.ZnSe体单晶生长技术[J].材料导报,2002(09):7-10.
[6]	国翔 .布里奇曼法生长ZnSe单晶[J].有色金属与稀土应用,2001,3:19-23.

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