本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究

人工晶体学报, 2005, 34(2): 297-300. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.022

本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究

张晓丹 ^1, , 高艳涛 ^2, , 赵颖 ^3, , 朱锋 ^4, , 魏长春 ^5, , 孙建 ^6, , 耿新华 ^7, , 熊绍珍 ^8,

1.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

2.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

3.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

4.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

5.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

6.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

7.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

8.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028202,G200028203) 教育部科学技术研究项目(02167) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002303261)

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 微晶硅 , 太阳电池

Fabrication of Microcrystalline Silicon Materials and Microcrystalline Silicon Solar Cells and Study on Their Properties

本文对VHF-PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究.电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0.51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;X射线衍射结果也证明材料晶化,同时(220)方向择优;首次在国内用VHF-PECVD方法制备出效率为5%的微晶硅电池(Jsc=21mA/cm2,Voc=0.46V,FF=51%,Area=0.253cm2).

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[8]	张晓丹,朱锋,赵颖,侯国付,魏长春,孙建,张德坤,任慧志,薛俊明,耿新华,熊绍珍.气压对VHF-PECVD制备的μc-Si：H 薄膜特性影响的研究[J].人工晶体学报,2004(03):414-418.
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