分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

人工晶体学报, 2005, 34(2): 384-386. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.040

分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

孙彦 ^1, , 方志丹 ^2, , 龚政 ^3, , 苗振华 ^4, , 牛智川 ^5,

1.大同大学物理系,大同,037009

2.中国科学院半导体研究所,北京,100083

3.中国科学院半导体研究所,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所,北京,100083

5.中国科学院半导体研究所,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金(60176006,90201026) 中国科学院科技项目

关键词：量子点 , 应力缓冲层 , 半高宽 , 光致荧光谱

Light Emission Characteristics of Self-organized Quantum Dot of InAs/GaAs Grown at the Edge of Molecular Beam

研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.

参考文献

[1]	Shchekin OB.;Deppe DG. .1.3 mu m InAs quantum dot laser with T-o=161 K from 0 to 80 degrees C[J].Applied physics letters,2002(18):3277-3279.
[2]	Shehekin O B;Park G et al.[J].Applied Physics Letters,2000,77:466-468.
[3]	Jia R.;Jiang DS.;Liu HY.;Wei YQ.;Xu B.;Wang ZG. .Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots[J].Journal of Crystal Growth,2002(2/3):354-358.
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[5]	ZhangZY;Xu B;JinP;MengXQ, etal .[J].Journal of Applied Physics,2002,92:511-514.
[6]	Niu Z C;WangXD;Miao Z H et al.[J].Journal of Crystal Growth,2001,227:1062-1068.
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