以Na3P和GaCl3为原料,在常压条件下的有机溶剂中合成出一种荧光材料.XRD分析表明其结构与GaP纳米晶体完全不同.能谱分析证明该产物包含Ga、P、Cl元素,该组成式为GaPCl4.将该产物与桑色素复合,并与GaP/桑色素复合材料相比,发现前者在丙酮、乙醇和水溶液中的发光强度以及发光稳定性均明显优于后者.该实验产物与桑色素复合制成的复合材料在丙酮、酒精和水溶液中出现很强的光致发光,而且可以稳定存在三个月以上.
参考文献
| [1] | Xie Y;Qian Y T et al.A Benzene-thermal Synthetic Route to Nanocrystalline GaN[J].Science,1996,272:1926. |
| [2] | Wang J F;Mark S et al.Highly Polarized Photoluminescence and Photodetection from Single Indium Phosphide Nanowires[J].Science,2001,293:1455. |
| [3] | Qian Y T;Su Y;Xie Y.[J].Materials Research Bulletin:601. |
| [4] | Chen Dewen;Wang Suhua.[J].Science in China(Series B),1996(03):262. |
| [5] | TitleJ;Gohde W;etal.[J].Journal of Physical Chemistry,1997:3014. |
| [6] | Huang Jinman;Yang Yi;Xue Shanhua.[J].Applied Physics Letters,1997:2335. |
| [7] | 潘教青,崔得良,黄柏标,周海龙,蒋民华.磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质[J].中国科学A辑,2001(09):823-827. |
| [8] | Cui D L;Pan J Q;Zhang Z C et al.The Stability and Surface Reactivity of Gallium Phosphide Nanocrystals[J].Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,2000,40:145-151. |
| [9] | 刘振刚,于美燕,白玉俊,郝霄鹏,王琪珑,于乃森,崔得良.合成GaP纳米晶过程的关键影响因素[J].人工晶体学报,2003(03):224-227. |
| [10] | 高善民,孙树声,崔得良,黄柏标,蒋民华.苯热合成GaP纳米微晶介质中水氧对反应过程的影响[J].化学学报,2000(06):643-646. |
| [11] | 崔得良,尉吉勇,潘教青,郝霄鹏,徐现刚,蒋民华.GaP纳米复合发光材料的制备和性质[J].功能材料,2001(05):543-545. |
| [12] | 史桂霞,白玉俊,郝霄鹏,崔得良,刘振刚,徐现刚,王琪珑.GaP/桑色素纳米复合材料自组织形态与桑色素浓度的关系[J].山东大学学报(理学版),2002(02):144-148. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%