Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

人工晶体学报, 2005, 34(4): 649-652. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.018

Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

王元樟 ^1, , 陈路 ^2, , 巫艳 ^3, , 吴俊 ^4, , 于梅芳 ^5, , 方维政 ^6, , 何力 ^7,

1.中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083

3.中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083

4.中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083

5.中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083

6.中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083

7.中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083

基金项目: 国家自然科学基金(60221502)

关键词：分子束外延 , 晶格失配 , 晶向倾角 , 孪晶

Tilted Angels of ZnTe and CdTe Epilayers Grown on Si(211) and GaAs(211)B Substrates by MBE

本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.

参考文献

[1]	Lange M D;Sporken R;Mahavadi K K et al.Molecular Beam Epitaxy and Characterization of CdTe(211) and CdTe(133) Films on GaAs(211)B Substrates[J].Applied Physics Letters,1991,58(18):1988-1990.
[2]	Sasaki T;Tomono M;Oda N .Study of CdTe Epitaxial Growth on(211)B GaAs by Molecular Beam Epitaxy[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1992,10(04):1399.
[3]	De Lyon T J;Rajavel D;Johnson S M;Cockrum C A .Molecular-beam Epitaxial Growth of CdTe(112) on Si(112) Substrates[J].Applied Physics Letters,1995,66(16):2119-2121.
[4]	S. RUJIRAWAT;DAVID J. SMITH;J.P. FAURIE .Microstructural and Optical Characterization of CdTe(211 )B/ZnTe/Si(211 ) Grown by Molecular Beam Epitaxy[J].Journal of Electronic Materials,1998(9):1047-1052.
[5]	Yu Fuju .Tilted Angels at the CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe,CdTe/GaAs Heterojuntions Grown by Molecular Beam Epitaxy[J].Journal of Crystal Growth,1999,204:35-40.

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