掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

人工晶体学报, 2005, 34(5): 865-869. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.021

掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

刘金伟 ^1, , 刘国庆 ^2, , 江竹青 ^3, , 陶世荃 ^4,

1.北京工业大学应用数理学院,北京,100022

2.北京工业大学应用数理学院,北京,100022

3.北京工业大学应用数理学院,北京,100022

4.北京工业大学应用数理学院,北京,100022

基金项目: 国家自然科学基金(69977005) 北京市教委科技发展计划项目(05006012200201)

关键词：铌酸锂晶体 , 位错缺陷 , 侵蚀观测法 , 散射噪声 , 体全息存储

Study on the Growth Defects of Doped LiNbO3 Crystals and Their Properties of Compact Volume Holographic Storage

本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.

参考文献

[1]	赵敬世.位错理论基础[M].北京:国防工业出版社,1989
[2]	陶世荃.光全息存储[M].北京:工业大学出版社,1998
[3]	Kling A;Kollewe D .Lattices Site Investigations for Mg in LiNbO3 by Combined RBS-PIXE-NRA Channeling Experiments[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B:Beam Interaction with Materials and Atoms,1992,64:232.
[4]	Prieto C;Zaldo C .Determination of the Lattice Site of Fe in Photorefractive LiNbO3[J].Solid State Communications,1992,83:819.
[5]	Wang Hong;Wen Jinke;Li Bin et al.Infrared Absorption Study of OH-in LiNbO3:Mg and LiNbO3:Mg:Fe Crystals[J].Physica Status Solidi A,1990,118:47.
[6]	刘建军,张万林,张光寅.掺镁、铁铌酸锂晶体缺陷结构的变化模型[J].科学通报,1996(11):986-988.

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掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

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