薄膜结构性能变化中的"温度临界点"

人工晶体学报, 2005, 34(5): 940-943. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.037

薄膜结构性能变化中的"温度临界点"

张丽伟 ^1, , 卢景霄 ^2, , 李瑞 ^3, , 冯团辉 ^4, , 靳锐敏 ^5, , 张宇翔 ^6, , 李维强 ^7, , 王红娟 ^8,

1.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,新乡,453000

2.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

3.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

4.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

5.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

6.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

7.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

8.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

关键词：温度临界点 , 薄膜结构 , X射线衍射 , 拉曼光谱

Critical Temperature Point in the Changing Process of Thin Films' Structure and Properties

本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在"温度临界点",然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的"温度临界点".结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在"温度临界点";在"温度临界点"前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点.进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中"温度临界点"可能不止一个.

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