CdZnTe(110)面表面原子弛豫和表面态的研究

人工晶体学报, 2005, 34(6): 968-971. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.002

CdZnTe(110)面表面原子弛豫和表面态的研究

查钢强 ^1, , 李强 ^2, , 曾冬梅 ^3, , 何志 ^4, , 张文华 ^5, , 介万奇 ^6,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

5.中国科技大学同步辐射国家实验室,合肥,230029

6.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

基金项目: 中国科学院资助项目(50336040)

关键词：低能电子衍射 , 角分辨光电子谱 , 表面原子驰豫 , 表面态

Study on Atomic Relaxation and Surface State of CdZnTe ( 110 ) Surface

通过真空Ar+离子刻蚀获得理想清洁的(110)表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)面表面原子结构,观察到(110)面表面未发生重构.采用光电子能谱技术验证了(110)面表面原子结构发生了弛豫.采用角分辨光电子谱(angle-resolved photoemission spectropy)实验测量出在费米能级以下0.9eV处存在峰宽约为0.8eV的表面态.并估算出其表面电荷密度约为6.9×1014cm-2,亦即表面Te和Cd(Zn)原子各有一个悬键.

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Study on Atomic Relaxation and Surface State of CdZnTe ( 110 ) Surface

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