非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究

人工晶体学报, 2005, 34(6): 1056-1058. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.015

非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究

缪国庆 ^1, , 殷景志 ^2, , 金亿鑫 ^3, , 蒋红 ^4, , 张铁民 ^5, , 宋航 ^6,

1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033

2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033

3.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033

4.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033

5.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033

6.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033

基金项目: 国家自然科学基金(50372067) 国家高技术研究发展计划(863计划)(50132020)

关键词：金属有机化学气相沉积 , 铟镓砷 , 探测器

Study on Uncooled In0.53 Ga0.47As/InP Infrared Detectors

采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.

参考文献

[1]	Antoni Rogalski .Infrared detectors at the beginning of the next millennium[J].Sensors and materials,2000(5):233-288.
[2]	Hoogeveen RWM.;Goede APH.;van der A RJ. .Extended wavelength InGaAs infrared (1.0-2.4 mu m) detector arrays on SCIAMACHY for space-based spectrometry of the Earth atmosphere[J].Infrared physics and technology,2001(1):1-16.
[3]	Cohen M J;Ettenberg M H;Lange M J et al.Commercial and Industrial Applications of Indium Gallium Arsenide Near Infrared Focal Plane Arrays[J].SPIE,1999,3698:453.
[4]	Olsen G H;Ban V S .InGaAsP:The Next Generation in Photonics Materials[J].Solid State Technology,1987,2:99.
[5]	缪国庆,金亿鑫,蒋红,周天明,李树玮,元光,宋航.生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响[J].发光学报,2002(05):465-468.
[6]	缪国庆,金亿鑫,蒋红,周天明,李树玮,元光,宋航.Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响[J].半导体光电,2002(04):271-273.

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Study on Uncooled In0.53 Ga0.47As/InP Infrared Detectors

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