采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜

人工晶体学报, 2005, 34(6): 1154-1153. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.035

采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜

崔勇国 ^1, , 张源涛 ^2, , 朱慧超 ^3, , 张宝林 ^4, , 李万程 ^5, , 杜国同 ^6,

1.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130023

2.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130023

3.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130023

4.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130023

5.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130023

6.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130023

基金项目: 中国科学院资助项目(60307002) 吉林大学校科研和教改项目

关键词：金属有机化学汽相沉积 , ZnO薄膜 , 半导体材料

Growth of ZnO(002) and ZnO(100) Films on GaAs Substrates by MOCVD

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜.该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的.与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性.对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层.

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