常规退火与光退火固相晶化的对比

人工晶体学报, 2005, 34(6): 1171-1173. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.039

常规退火与光退火固相晶化的对比

靳锐敏 ^1, , 卢景霄 ^2, , 王海燕 ^3, , 张丽伟 ^4, , 王生钊 ^5, , 刘萍 ^6, , 王红娟 ^7,

1.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

2.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

3.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

4.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

5.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

6.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

7.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

关键词： PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 传统退火炉子 , 光退火 , 晶粒大小 , 拉曼光谱 , XRD , SEM

Comparison of the Solid-phase Crystallization between Conventional Furnace Annealing and Pulsed Rapid Thermal Method

为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.

参考文献

[1]	张风鸣.多晶硅薄膜电池[J].太阳能学报,2003(08):556-562.
[2]	于振瑞;耿新华;孙云.掺硼非晶硅材料固相晶化的研究[J].太阳能学报,1994(04):132.
[3]	吴萍;姚若河;林璇英.非晶硅薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜[J].汕头大学学报(自然科学版),1999(14):19-22.
[4]	陈城钊,方健文,林璇英.a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜[J].浙江师范大学学报(自然科学版),2002(03):246-249.
[5]	Jin Rui-min;Lu Jing-xiao;Wang Hai-yan.[J].J Semiconductor Photonics and Technology,2005(01)
[6]	靳锐敏,卢景霄,扬仕娥,王海燕,李瑞,冯团辉,段启亮.温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响[J].电子元件与材料,2005(08):41-42.

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