本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到BBO晶体{001}面上的位错露头为突起的正三方锥形,底边与X轴平行.在显微镜下测量出样品的蚀坑密度.实验证明,随着位错密度的增加BBO晶体的光学均匀性逐渐变差.
参考文献
| [1] | 张克从;王希敏.非线性光学晶体材料科学[M].北京:科学出版社,1996:161. |
| [2] | 张克从;张乐潓.晶体生长科学与技术[M].北京:科学出版社,1997:453. |
| [3] | 赫尔 D;培根 D J.位错导论[M].北京:科学出版社,1990:17. |
| [4] | Roberts F E;Langenbeck P .Homogeneity Evaluation of Very Large Disks[J].Applied Optics,1969,8(11):2311. |
| [5] | Johannes Schwider;Burow R;Elssner K E et al.Homogeneity Testing by Phase Sampling Interferometry[J].Applied Optics,1985,24(18):3059. |
| [6] | Polgar K;Peter A .Etching Study on Beta Barium Metabotrate (β-BaB2O4) Single Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1993,134:219. |
| [7] | Peter A.;Beregi E.;Polgar K. .Revealing growth defects in non-linear borate single crystals by chemical etching[J].Journal of Crystal Growth,2000(1):102-109. |
| [8] | 洪慧聪.BBO晶体的化学腐蚀研究[J].人工晶体学报,1993(01):42. |
| [9] | 杨顺华.晶体位错理论基础[M].北京:科学出版社,2000 |
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