6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

人工晶体学报, 2006, 35(1): 41-44. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.009

6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

李现祥 ^1, , 胡小波 ^2, , 董捷 ^3, , 姜守振 ^4, , 李娟 ^5, , 陈秀芳 ^6, , 王丽 ^7, , 徐现刚 ^8, , 王继扬 ^9, , 蒋民华 ^10,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

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基金项目: 国家科技攻关项目(2001AA311080) 教育部新世纪优秀人才支持计划

关键词：温度场 , 6H-SiC单晶 , 径向温度梯度 , 多型

Temperature Field Optimization and Polytype Control in the Growth of 6H-SiC Single Crystal

本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.

参考文献

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[6]	张克从;张乐潓.晶体生长科学与技术[M].北京:科学出版社,1997

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