AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

人工晶体学报, 2006, 35(1): 50-53. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.011

AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

黄毅 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 刘娟 ^4, , 张建军 ^5, , 朱伟林 ^6, , 徐承福 ^7,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

7.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 中国科学院资助项目(20040610024)

关键词：红外非线性光学晶体 , AgGa1-xInxSe2 , 多晶合成 , 单晶生长 , 布里奇曼法 , X射线衍射

Study on Growth of AgGa1-xInxSe2 Single Crystal

采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3～0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料.以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe2单晶锭(x=0.2).沿自然显露面对晶体进行了解理和X射线衍射分析,发现该面是(101)面.同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%.

参考文献

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[3]	赵北君,朱世富,李正辉,傅师申,于丰亮,李奇峰.硒镓银晶体的结构与光学特性研究[J].功能材料,2001(01):100-102.
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