薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

人工晶体学报, 2006, 35(1): 81-84. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.018

薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

朱锋 ^1, , 赵颖 ^2, , 魏长春 ^3, , 任慧智 ^4, , 薛俊明 ^5, , 张晓丹 ^6, , 高艳涛 ^7, , 张德坤 ^8, , 孙建 ^9, , 耿新华 ^10,

1.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071

2.南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071

3.南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071

10.

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028203,G2000028202) 全国教育科学规划项目(02167)

关键词：非晶/微晶叠层电池 , 微晶硅 , N/P隧穿结

Effect of NP Tunnel on Thin Film a-Si/μc-Si Tandem Solar Cells

本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253cm2.

参考文献

[1]	Rubinelli FA.;Schropp REI.;Rath JK. .Microcrystalline n-i-p tunnel junction in a-Si : H/a-Si : H tandem cells[J].Journal of Applied Physics,2001(7):4010-4018.
[2]	Wronski C R;Collins R W;Jiao L et al.Stable a-Si:H Based Multijunction Solar Cells with Guidance from Real Time Optics-annual Report Phase I[R].,2000.

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Effect of NP Tunnel on Thin Film a-Si/μc-Si Tandem Solar Cells

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