ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.
参考文献
| [1] | Shimizu A;Kanbara M;Hada M;Kasuga M .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1978,17:1435. |
| [2] | Kazuhiko Kaiya;Kouji Omichi;Naoyuki Takahashi;Takato Nakamura, Shinji Okamoto, Hajime Yamamoto .[J].Journal of Materials Chemistry,2000,10:969-972. |
| [3] | Fu ZX.;Lin BX.;Zu J. .Photoluminescence and structure of ZnO films deposited on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2002(1/2):302-306. |
| [4] | Fu ZX.;Liao GH.;Wu ZQ.;Lin BX. .The effect of Zn buffer layer on growth and luminescence of ZnO films deposited on Si substrates[J].Journal of Crystal Growth,1998(3):316-321. |
| [5] | Nahhas A;Kim H K;Blachere J .[J].Applied Physics Letters,2001,78(11):1511. |
| [6] | Tiwari A;Park M;Jin C;Wang H, Kumar D, Narayan J .[J].Journal of Materials Research,2002,17(10):2480. |
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