碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

人工晶体学报, 2006, 35(2): 306-309. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.023

碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

唐世红 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 王瑞林 ^4, , 高德友 ^5, , 陈俊 ^6, , 张冬敏 ^7, , 何知宇 ^8, , 方军 ^9, , 洪果 ^10,

1.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

2.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

3.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

4.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

5.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

6.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

7.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

8.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

9.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

10.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

基金项目: 中国科学院资助项目(60276030) 广东省博士启动基金(20020610023)

关键词：碲锌镉 , 正电子湮没技术 , 寿命 , 退火

Study on the Positron Annihilation Lifetime in Cd1-xZnxTe Crystal

用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.

参考文献

[1]	Eisen Y.;Shor A. .CdTe and CdZnTe materials for room-temperature X-ray and gamma ray detectors[J].Journal of Crystal Growth,1998(0):1302-1312.
[2]	王少阶,陈志权,王柱.用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱[J].武汉大学学报（自然科学版）,2000(01):67-72.
[3]	Krause-Rehberg R;Leipner H S.Positron Annihilation in Semiconductors[M].New York:Springer,1999
[4]	何元金;郁伟中.正电子湮没技术[M].北京:科学出版社,1983
[5]	Dlubek G et al.Positron Study of Native Vacancies in Doped and Undoped GaAs[J].Journal of Physics C:Solid State Physics,1986,19:331-344.
[6]	Gely-Sykes C .[J].Solid State Communications,1991,80:79.
[7]	Hautcjarvi P.Defects in Semiconductors:Recent Progress in Positron Experiments[J].Materials Science Forum,1995:175-178.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网