Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

人工晶体学报, 2006, 35(2): 378-380. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.039

Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

臧和贵 ^1, , 常新安 ^2, , 张书峰 ^3, , 陈学安 ^4, , 肖卫强 ^5,

1.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

2.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

3.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

4.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

5.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

关键词： Ga3+:KTP晶体 , 分配系数 , c向电导率

Study on Conductivity along c Axis of Ga3+:KTP Crystal

采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较.结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上.文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨.

参考文献

[1]	沈德忠.KTP晶体的电光研究进展[J].人工晶体学报,2001(01):28-35.
[2]	Shi Lu Ping .Lon-exchange Optical Waveguide and Devices in KTiOPO4[J].Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering,1995,2401:164-175.
[3]	卢秀权,陈绍和.KTP电光开关[J].中国激光,1999(04):321-324.
[4]	谢兴龙.新型KTP电光偏转器的设计和分析[J].光学学报,1997(11):1571.
[5]	Morris P A;Ferrtti A et al.Reduction of Ionic Conductivity of Flux Grown KTiOPO4 Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1991,109:367.

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