CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

人工晶体学报, 2006, 35(4): 715-718. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.010

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

张冬敏 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 高德友 ^4, , 陈俊 ^5, , 唐世红 ^6, , 方军 ^7, , 程曦 ^8,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

7.四川大学材料科学系,成都,610064

8.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(60276030)

关键词：碲锌镉晶片 , 表面处理 , 漏电流 , 电阻率 , 形貌

Surface Passivation Process of the Wafers for CdZnTe Detector

报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.

参考文献

[1]	朱世富,赵北君,王瑞林,高德友,韦永林.室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究[J].人工晶体学报,2004(01):6-12.
[2]	Mcquaid;James H et al.Ambient Temperature Cadmium Zinc Telluride Radiation Detector and Amplifies Circuit[P].USP 5757227,1998-05-26.
[3]	MESCHER M.J.;SCHLESINGER T.E.;TONEY J.E. .Development of Dry Processing Techniques for CdZnTe Surface Passivation[J].Journal of Electronic Materials,1999(6):700-704.
[4]	Chattopadhyay C;Hayes M;N dap J O et al.[J].Journal of Electronic Materials,2000,29(06):708.
[5]	Chen KT.;Chen H.;Granderson B.;George MA.;Collins WE.;Burger A.;James RB.;Shi DT. .STUDY OF OXIDIZED CADMIUM ZINC TELLURIDE SURFACES[J].Journal of Vacuum Science & Technology, A. Vacuum, Surfaces, and Films,1997(3 Pt.1):850-853.
[6]	KAUSHIK CHATTOPADHYAY;MIGUEL HAYES;JEAN-OLIVIER NDAP .Surface Passivation of Cadmium Zinc Telluride Radiation Detectors by Potassium Hydroxide Solution[J].Journal of Electronic Materials,2000(6):708-712.
[7]	Chen H;Chattopadhyay K;Chen K T et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology A-Vacuum Surfaces and Films,1999,17:97.

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Surface Passivation Process of the Wafers for CdZnTe Detector

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