CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究

人工晶体学报, 2006, 35(5): 939-942. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008

CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究

钟雨航 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 任锐 ^4, , 何知宇 ^5, , 叶林森 ^6, , 温才 ^7,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

7.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA325030)

关键词：硒化镉 , 机械化学抛光 , 抛光液 , 金相显微镜 , 电阻率

Study on Chemical Mechanical Polishing Technology for CdSe Wafer for Detectors

采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.

参考文献

[1]	金应荣 .硒化镉（CdSe）单晶体生长及其室温核辐射探测器[D].四川大学,2002.
[2]	Strehlow W H .Chemical Polishing of II-VI Compounds[J].Journal of Applied Physics,1969,40:2928-2932.
[3]	Zhu HL;Tessaroto LA;Sabia R;Greenhut VA;Smith M;Niesz DE .Chemical mechanical polishing (CMP) anisotropy in sapphire[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2004(1/4):120-130.
[4]	张亮,李建立,魏东,刘景和.ZnSe晶体加工工艺研究[J].长春理工大学学报,2003(04):67-69.
[5]	谭刚,吴嘉丽.硅衬底的化学机械抛光工艺研究[J].仪器仪表学报,2005(08):1906-1908,1910.

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