6H-SiC晶片的退火处理

人工晶体学报, 2006, 35(5): 949-952. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.010

6H-SiC晶片的退火处理

姜守振 ^1, , 李娟 ^2, , 陈秀芳 ^3, , 王英民 ^4, , 宁丽娜 ^5, , 于光伟 ^6, , 胡小波 ^7, , 徐现刚 ^8, , 王继杨 ^9, , 蒋民华 ^10,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

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基金项目: 山东省半导体照明工程关键技术教育部跨世纪优秀人才培养计划

关键词：升华法 , SiC , 退火

Annealing Treatment of 6H-SiC Wafers

本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.

参考文献

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