基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜.采用X射线衍射仪(XRD) 和场发射扫描电子显微镜(SEM) 对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向.对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强.结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大.
参考文献
| [1] | 马蕾,简红彬,康建波,彭英才.多晶硅薄膜制备技术的研究进展[J].河北大学学报（自然科学版）,2005(01):97-103. |
| [2] | Ruud E.I. Schropp .Present status of micro- and polycrystalline silicon solar cells made by hot-wire chemical vapor deposition[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2004(3):455-465. |
| [3] | 黄锐,林璇英,余云鹏,林揆训,姚若河,黄文勇,魏俊红,王照奎,余楚迎.多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制[J].物理学报,2004(11):3950-3955. |
| [4] | 李瑞,卢景霄,陈永生,杨仕娥,靳锐敏,王海燕,张宇翔,郜小勇.Raman散射和AFM对多晶硅薄结晶状况的研究[J].光散射学报,2005(02):142-147. |
| [5] | 冯团辉,卢景霄,张宇翔,郜小勇,杨仕娥,李瑞,靳锐敏,王海燕.利用快速热退火法制备多晶硅薄膜[J].人工晶体学报,2005(02):353-358. |
| [6] | L. Pereira;P. Barquinha;E. Fortunato;R. Martins .Influence of metal induced crystallization parameters on the performance of polycrystalline silicon thin film transistors[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2005(1/2):102-106. |
| [7] | Mahfoz-Kotb H.;Salaun AC.;Mohammed-Brahim T.;Le Bihan F.;El-Marssi M. .Polycrystalline silicon thin films for MEMS applications[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2003(1/2):422-426. |
| [8] | 邱春文,石旺舟,黄翀.以SiF4+H2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜[J].太阳能学报,2004(03):333-336. |
| [9] | 祝祖送,林璇英,余云鹏,林揆训,邱桂明,黄锐,余楚迎.用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究[J].物理学报,2005(08):3805-3809. |
| [10] | 王军,祁康成,成建波.多晶硅薄膜的工艺研究[J].材料热处理学报,2004(04):4-6. |
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