对柱状多晶硅薄膜的制备研究

人工晶体学报, 2006, 35(5): 1159-1162. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.052

对柱状多晶硅薄膜的制备研究

张丽伟 ^1, , 赵新蕖 ^2, , 卢景霄 ^3, , 郜小勇 ^4, , 陈永生 ^5, , 靳瑞敏 ^6,

1.郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,新乡,453000

2.河南机电高等专科学校,新乡,453002

3.郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052

4.郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052

5.郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052

6.郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052

关键词： SEM , RTP , 柱晶 , 多晶硅薄膜

Study of Columnar Grain in Poly-Si Thin Films

在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大.本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的.再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关.

参考文献

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