砷化锗镉晶体的合成与生长

人工晶体学报, 2007, 36(4): 947-949. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.050

砷化锗镉晶体的合成与生长

朱崇强 ^1, , 杨春晖 ^2, , 王锐 ^3, , 吕维强 ^4, , 孙彧 ^5, , 王蒙 ^6, , 李春彦 ^7,

1.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

5.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

6.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

7.哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001

基金项目: 黑龙江省科技攻关项目国家自然科学基金(E50572018)

Synthesis and Growth of Cadmium Germanium Arsenide Crystal

参考文献

[1]	Rud'V Yu;Rud'Yu V;Ushakova T N .Physical Properties of CdGeAs2 Crystals Grown by Solid-state Synthesis[J].Semiconductors (Translation of Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov,1999,33(11):1193-1195.
[2]	Byer R L;Kildal H;Feigelson R S .CdGeAs:-A New Nonlinear Crystal Phasematchable at 10.6μm[J].Applied Physics Letters,1971,19(07):237-240.
[3]	Valeri-Gil M L;Ricon C .Thermal Conductivity of Ternary Chalcopyrite Compounds[J].Materials Letters,1993,17(1-2):59-62.
[4]	Bai L;Garces N;Yang N et al.Optical and EPR Study of Defects in Cadmium Germanium Arsenide[J].Materials Research Society Symposium Proceedings,2003,744:537.
[5]	Halliburton L E;Edwards G J;Schunemann P G et al.Electron Paramagnetic Resonance Spectra in as-grown CdGeAs2[J].Journal of Applied Physics,1995,77(01):435-437.

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