欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

基于塞曼效应和光致发光,阐述了材料科学中塞曼效应的测量原理,给出了应用塞曼效应研究4H SiC精细结构及电子构形谱例.

参考文献

[1] CHEN Wei min .Application of Optically Detected Magnetic Resonance in Semiconductor Layered Structures[J].Thin Solid Films,2000,364:45-52.
[2] Spaeth J M;Niklas J R;Bartram R H.Structural Analysis of Point Defects in Solids[J].Springer-Verlag,1992:79-80.
[3] 朗道;栗弗席夫.量子力学[M].北京:高等教育出版社,1981
[4] L L席夫;李淑娴;陈崇光.量子力学[M].北京:人民教育出版社
[5] Son N T;Ellion A;Magnousson B et al.Photoluminescence and Zeeman Effect in Chromium-Doped 4 H and 6H SiC[J].Journal of Applied Physics,1999,86(08):4348-4353.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%