等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

1.陕西科技大学电气与电子工程学院,陕西,咸阳,712081

2.陕西科技大学电气与电子工程学院,陕西,咸阳,712081

3.陕西科技大学电气与电子工程学院,陕西,咸阳,712081

基金项目: 国家自然科学基金(20476054)

Effect of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Parameters on Characteristics of Silicon nitride Film

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.

[1]	杨爱龄.PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系[J].杭州大学学报(自然科学版),1990(02):174.
[2]	王玉林.低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨[J].固体电子学研究与进展,1999(04):448.
[3]	李琼,陈永兴.PECVD氮化硅薄膜的制备和研究[J].华东师范大学学报(自然科学版),1980(04):34.
[4]	唐元洪 .等离子增强型化学气相沉积氮化硅的沉积[J].湖南大学学报(自然科学版),1996,23(01):42-44.
[5]	Luongo J P .Infrared Characterization of Alpha-and Beta-Gystauire Silicom Nitride[J].Journal of the Electrochemical Society,1983,130(07):1560.

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