本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理,测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD、SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化.研究结果表明,退火过程中Ti4+离子取代Zn2+离子而固溶进入ZnO晶粒表面,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因,在退火温度不超过400℃时可获得较好的压敏性能.
参考文献
| [1] | Levison L M;Philipp H R .Zinc oxide varistor-A review[J].American Ceramic Society Bulletin,1983,62(06):698. |
| [2] | Gupta T K .Application of zinc oxide varistor[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(07):1817. |
| [3] | 康雪雅.掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响[J].电子显微学报,1994(01):42. |
| [4] | 高纪明;杜海清;唐绍裘 .ZnO籽晶对ZnO压敏陶瓷微观结构和电性能的影响[J].无机材料学报,1996,11(03):483. |
| [5] | Gupta T K;Garlson W G .A grain boundary defect model for instability/stability of ZnO varistor[J].Journal of Materials Science,1985,20:3487. |
| [6] | 康雪雅;庄顺昌 .低压ZnO-Bi2O3-TiO2系材料的退火特性及显微结构[J].无机材料学报,1994,8(02):155. |
| [7] | Tronteli M.Influence of additives on varistor microstructure[A].OH:American Ceramic Society,1983:107. |
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