选用低介电常数的无机介质材料ZnO-B2O 3-SiO2三元系统,进行了XRD和介电性能定量关系的研究,系统的主、次晶相为SiO 2、Zn2SiO4相.调整各组分,获得了超低介电常数的介质陶瓷,其介电性能为:ε≈5,tgδ≤5×10-4,αc≤0±30ppm/℃,IR≥1012Ω,烧结温度为1140℃.通过对系统所进行的X-射线衍射分析,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法,并代入李赫德涅凯对数混合定则,计算出系统的介电性能,从而获得了一种设计无机材料系统介电性能的新方法.
参考文献
[1] | 吴霞宛 .ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的研究[J].硅酸盐学报,1996,24(05):590. |
[2] | 素木洋一;刘达权;陈世兴.硅酸盐手册[M].北京:中国轻工业出版社,1982:134. |
[3] | 李标荣.无机电介质[M].武汉:华中理工大学出版社,1995:180. |
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