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通过在TiO2压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2压敏陶瓷性能的影响.实验结果表明:以Y系掺杂的Ti-Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性.其中,以Y+Cu为受主掺杂剂,SiO2为烧结助剂的配方,在1300℃温度下烧结,获得压敏电压V1mA=9.4V/mm,非线性系数α=4.8,介电常数ε=21300,介电损耗tanδ=0.09较优异的压敏介电性能.同时Y系掺杂也避免了掺杂Bi的高温挥发性.

参考文献

[1] Yan M;Rhodes W .Preparation and properties of TiO2 varistors[J].Applied Physics Letters,1982,40(06):536-537.
[2] SANTHOSH P N;Kharat D K .Effect of Strontium Substitution in (Nb, Bi) Doped TiO2 Varistors[J].Materials Letters,1996,28(09):37-41.
[3] Pennewiss J;Hoffman B .Varistors made from TiO2-practicability and limits[J].Materials Letters,1990,9(09):219-226.
[4] 方湘怡;肖华;武明堂.MnO2掺杂的TiO2电容-压敏材料的结构与性能[J].电子元件,1994(09):11-14.
[5] Rossinelli M;Greuter F;Schmuckle F.Electrically active grain boundaries in ce-ramics:varistor and capacitors[J].British Ceramic Proceedings,1989(41):177-188.
[6] 王丹阳;季惠明.不同受主掺杂对TiO2压敏陶瓷性能的影响[J].材料导报,2000(10):160-162.
[7] Koukitu A;Hasegewa Y .Preparation of Bi,Pb-Ba-Cu-O superconducting thin film by the mist microwave plasma decomposition method[J].Japanese Journal of Applied Physics,1993,32(11):1648-1650.
[8] 徐庭献;沈继跃;薄占满.电子陶瓷材料[M].天津:天津大学出版社,1992:221.
[9] Levin E M;Mcmurdie H F;Hall F P.Phase diagrams for ceramic[M].Columbus,Ohio:American Ceramic Society,1981:91-111.
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