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采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料.通过在1450℃氮气气氛下,2h的热处理,使无定型氮化硅转为α相氮化硅,并生长出α-Si3N4晶须.试验分析证明所得到的α-Si3N4晶须直径为50~200nm,无明显缺陷,其晶须生长方向为〈0110〉.

参考文献

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[2] 李晔;刘艳生;王全玉 等.G-G法合成氮化硅粉末及晶须的性能研究[J].化学通报(印刷版),1995,4:24-27.
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