低压ZnO压敏电阻中Bi2O3-TiO2相变过程的研究

硅酸盐通报 , 2006, 25(3): 58-67. doi: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.013

低压ZnO压敏电阻中Bi2O3-TiO2相变过程的研究

许业文 ^1, , 范卓维 ^2, , 徐政 ^3, , 孙丹峰 ^4,

1.同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;总装备部工程兵科研一所,无锡,214035

2.同济大学材料科学与工程学院,上海,200092

3.同济大学材料科学与工程学院,上海,200092

4.苏州中普电子有限公司,苏州,215011

关键词：低压氧化锌压敏电阻 , 烧成温度 , 氧化铋 , 二氧化钛 , 晶粒晶界

Bi2O3-TiO2 Phase Variation in Low-Voltage ZnO Varistor

在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究.发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界.而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界.通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释.

参考文献

[1]	David R. Clarke .Varistor ceramics[J].Journal of the American Ceramic Society,1999(3):485-502.
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