碘化铅单晶体生长工艺分析

硅酸盐通报 , 2006, 25(4): 168-171. doi: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.037

碘化铅单晶体生长工艺分析

赵欣 ^1, , 金应荣 ^2, , 朱兴华 ^3, , 贺毅 ^4, , 邱春丽 ^5,

1.西华大学材料科学与工程学院,成都,610039

2.西华大学材料科学与工程学院,成都,610039

3.西华大学理化学院,成都,610039

4.西华大学材料科学与工程学院,成都,610039

5.西华大学材料科学与工程学院,成都,610039

基金项目: 西华大学校科研和教改项目

关键词：碘化铅 , 坩埚下降法 , 晶体富碘

The Technics Analysis of Lead Iodide Single Crystal Growth

在坩埚下降法生长PbI2单晶体的过程中,如何解决晶体中的富碘问题是一个研究关键.本文采用坩埚下降法生长出了三种不同颜色的富碘PbI2单晶体.实验中发现:通过合理的选择坩埚在温场中的生长位置,可最大限度的减轻晶体富碘现象,分析了相关工艺,得出了最优工艺方案.结果表明:在适当的工艺条件下,坩埚下降法设备简单,易于操作,是生长PbI2单晶体的优良方法.

参考文献

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