研究了反应烧结SiC材料在1100℃空气中的高温氧化行为.结果表明:反应烧结SiC在1100℃的氧化动力学曲线符合抛物线规律:材料的氧化受O2和CO在玻璃态硅酸盐中的扩散所控制;材料中的杂质元素降低了SiO2氧化膜的粘度,促进了O2和CO在氧化膜中的扩散.
参考文献
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