SnO2导电薄膜性能研究

表面技术 , 2005, 34(5): 32-42. doi: 10.3969/j.issn.1001-3660.2005.05.010

SnO2导电薄膜性能研究

王磊 ^1, , 杜军 ^2, , 毛昌辉 ^3, , 杨志明 ^4, , 熊玉华 ^5,

1.北京有色金属研究总院能源与材料技术中心,北京,100088

2.北京有色金属研究总院能源与材料技术中心,北京,100088

3.北京有色金属研究总院能源与材料技术中心,北京,100088

4.北京有色金属研究总院能源与材料技术中心,北京,100088

5.北京有色金属研究总院能源与材料技术中心,北京,100088

关键词：导电性能 , 二氧化锡 , 薄膜 , 溅射 , 衬底温度

Study on Conductive Property of SnO2 Thin Film

采用射频反应溅射法制备SnO2导电薄膜,用AFM、XRD、XPS研究了薄膜的结构与表面化学组成对导电性能的影响,同时分析了衬底温度对薄膜导电性能的影响.结果表明:采用射频反应溅射制备的SnO2薄膜是具有(211)择优取向的多晶结构氧空位导电的n型半导体,衬底温度对于SnO2薄膜的微观结构和表面组成影响巨大,在低温衬底下制备的SnO2薄膜具有最佳的导电性能.

参考文献

[1]	Kennedy J H .Thin film solid electrolyte systems[J].Thin Solid Films,1977,43(01):41-92.
[2]	Huang H;Kelder E M;Chen L et al.Graphite-Metal Oxide Composites as Anode for Li-ion Batteries[J].Journal of Power Sources,1999,81-82:362-367.
[3]	Manabu Ohkubo;Kumiko Fukai;Matsuo Kohji .Preparation of conductive ReO_3 thin films[J].Superconductor Science & Technology,2002(12):1778-1780.
[4]	Dupin JC.;Vinatier P.;Levasseur A.;Gonbeau D. .Systematic XPS studies of metal oxides, hydroxides and peroxides[J].Physical chemistry chemical physics: PCCP,2000(6):1319-1324.
[5]	Fan J C;Goodenongh J B .X-ray photoemission spectroscopy studies of Sn-doped indium-oxide films[J].Journal of Applied Physics,1977,48:3524-3531.

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