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研究了以次磷酸钠为还原剂、硫酸镍为再活化剂的化学镀铜工艺和镀层结构,指出工艺的基本特性.结果表明,在含有次磷酸钠和硫酸镍的镀液中,化学镀铜过程可以持续进行并呈现自催化特性;只有在合适的镀液pH范围内才可获得铜镀层;铜镀层为面心立方结构,没有明显的晶面择优取向现象,镀层结构的晶面间距d和晶胞参数a与标准Cu粉末的相比均较大,说明铜镀层仍存在应力和缺陷.

参考文献

[1] 蔡积庆 .化学镀铜[J].电镀与环保,1996,16(03):11-15.
[2] 董超.添加剂对化学镀铜的影响[J].材料保护,1997(01):8.
[3] 宋元伟,赵斌,孙承绪.化学镀铜及其在玻璃工业中的应用[J].玻璃与搪瓷,1999(05):47.
[4] 白拴堂;王玉娉 .化学镀铜新工艺及在电子工业中应用[J].电镀与环保,1999,19(04):5-8.
[5] 化学镀铜的沉积过程与镀层性能[J].材料保护,2000(01):33-36.
[6] 于海霞,付浚,杨瑞霞,袁炳辉.化学方法实现GaAs表面Cu的沉积[J].河北工业大学学报,2000(04):21-23.
[7] 胡光辉,连锦明,杨防祖,林昌健.陶瓷基上化学镀铜[J].电镀与涂饰,2001(02):1-4.
[8] Honma H;Kobayashi T .Electroless copper deposition process using glyoxylic acid as a reducing agent[J].Journal of the Electrochemical Society,1994,141(03):730-733.
[9] S. Z. Chu;M. Sakairi;H. Takahashi .Copper electroless plating at selected areas on aluminum with pulsed Nd-YAG laser[J].Journal of the Electrochemical Society,2000(4):1423-1434.
[10] Shacham-Diamand;Yosi Y .Electroless copper deposition using glyoxylic acid as reducing agent for ultralarge-scale integration metalization[J].Electrochemical and Solid-State Letters,2000,3(06):279-282.
[11] Lee Chwan-Ying;Huang Tzuen-his .Electroless plating of copper on a semiconductor chip using hypophosphite as a reducing agent[P].US:6046107,2000-04-04.
[12] Yu Allen S;Steffan Paul J .Electroless plated semiconductor vias and channels[P].US 6291332,2001-09-18.
[13] 陈秉彝.新型化学镀铜工艺研究[J].材料保护,1991(05):4.
[14] 辜敏,黄令,杨防祖,姚士冰,周绍民.搅拌条件下电流密度对Cu镀层的织构和表面形貌的影响[J].应用化学,2002(03):280-284.
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