化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2g/L氯化钯,13.2g/L次磷酸钠,165 mL/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6.验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高.
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