SiCp/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究

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A Study of Subgrain Al Layer of SiC/Al Interface in SiCp/Al-Si Composites

通过利用TEM研究SiCp/Al-Si复合材料发现:SiC/Al界面结合紧密,在靠近SiC界面的Al基体中,有一层厚度小于1μm的"亚晶铝带", 它紧靠SiC表面形成, 与远离SiC的Al基体有几度的位向差;这种"亚晶铝带"在SiC/Al界面上普遍存在,其内有大量位错.

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