磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析

材料工程, 2000, (10): 15-21. doi: 10.3969/j.issn.1001-4381.2000.10.004

磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析

宋建全 ^1, , 刘正堂 ^2, , 于忠奇 ^3, , 耿东生 ^4, , 郑修麟 ^5,

1.西北工业大学,西安,710072

2.西北工业大学,西安,710072

3.西北工业大学,西安,710072

4.西北工业大学,西安,710072

5.西北工业大学,西安,710072

基金项目: 陕西省自然科学基金(99C29) 航空基础科学基金(93G53120)

关键词：沉积速率 , 磁控反应溅射 , 靶中毒 , 原子百分比

The Analysis of Specialities of GexC1-x Films Prepared by RF Magnetron Reactive Sputtering

利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.

参考文献

[1]	S. Berg;T. Nyberg;H.-O. Blom;C. Nender .Computer modeling as a tool to predict deposition rate and film composition in the reactive sputtering process[J].Journal of Vacuum Science & Technology, A. Vacuum, Surfaces, and Films,1998(3 Pt.1):1277-1285.
[2]	S Berg et al.[J].Surface and Coatings Technology,1989,39/40:466.
[3]	王敬义.薄膜生长理论[M].武汉:华中理工大学出版社,1993:406.
[4]	Hidetoshi Sekiguchi et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology A-Vacuum Surfaces and Films,1994,12(06):3176.
[5]	C D Tsiogas et al.[J].Vacuum,1992,43(03):203.
[6]	Z T Liu et al.[J].J. Appl. Phys,1997,36:3625.
[7]	A H Lettington et al.[J].Proceedings of SPIE,1112:156.
[8]	田民波;刘德令.薄膜科学与技术手册[M].北京:机械工业出版社,1991:416.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析

The Analysis of Specialities of GexC1-x Films Prepared by RF Magnetron Reactive Sputtering

参考文献