GaP薄膜的制备与性能研究

材料工程, 2001, (10): 27-30. doi: 10.3969/j.issn.1001-4381.2001.10.008

GaP薄膜的制备与性能研究

宋建全 ^1, , 刘正堂 ^2, , 郭大刚 ^3, , 耿东生 ^4, , 郑修麟 ^5,

1.西北工业大学,

2.西北工业大学,

3.西北工业大学,

4.西北工业大学,

5.西北工业大学,

基金项目: 航空基础科学基金(98G53104)

关键词： GaP薄膜 , 射频磁控溅射 , 增透保护膜系

Preparation and Properties of Gallium Phosphide Films

利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.

参考文献

[1]	Swec D M;Mirtich M J .[J].Proceedings of SPIE,1989,1112:162-173.
[2]	Mackowski J M;Cimma B;Pignard R et al.[J].Proceedings of SPIE,1992,1760:201-209.
[3]	宋建全,刘正堂,于忠奇,耿东生,郑修麟.GexC1-x薄膜在红外增透保护膜系设计和制备中的应用[J].红外与毫米波学报,2000(04):266-268.
[4]	LiuZT;ZhuJZ;XuXK et al.[J].Journal of Applied Physics,1997,36:3625-3628.
[5]	Gibson D R;Waddell E M;Wilson A D et al.[J].Optical Engineering,1994,33(03):957-966.
[6]	Korenstein R;Goldman L;Hallock R et al.[J].Proceedings of SPIE,1997,3060:181-195.
[7]	田民波;刘德令.薄膜科学与技术手册[M].北京:机械工业出版社,1991:408-412.
[8]	Nicholson E D;Pickles C S J;Field J E et al.[J].Proceedings of SPIE,1994,2286:275-284.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

GaP薄膜的制备与性能研究

Preparation and Properties of Gallium Phosphide Films

参考文献