纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为

材料工程, 2002, (1): 19-21. doi: 10.3969/j.issn.1001-4381.2002.01.006

纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为

张波 ^1, , 李建保 ^2, , 孙晶晶 ^3, , 张淑霞 ^4, , 翟华嶂 ^5,

1.新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学材料科学与工程系,北京,100084

2.新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学材料科学与工程系,北京,100084

3.新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学材料科学与工程系,北京,100084

4.新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学材料科学与工程系,北京,100084

5.新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学材料科学与工程系,北京,100084

基金项目: 清华大学校科研和教改项目(JZ0009) 国家自然科学基金(5943206)

关键词：介电性能 , 缺陷 , 碳热还原 , 碳化硅纳米粉

Nanometer-sized Silicon Carbide Powder Synthesis and its Dielectric Behavior in the Microwave Range

通过碳热还原法合成了纳米SiC粉并对其在8.2～12.4GHz频率范围的介电参数进行了测量.通过改变铝含量和反应气氛分别得到了β,12H和21R型碳化硅粉.β-SiC粉具有比α-SiC粉高得多的相对介电常数ε′r=30～50)和介电损耗角正切值(tgδ=～0.7).虽然Al和N的固溶将SiC粉的电阻率减小到102Ω*cm的量级,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加,反而随Al含量的增加降低.

参考文献

[1]	T F Page.[A].Netherlands:Kluwer Academic Publisher,1990:197-214.
[2]	R F Davis.[A].Netherlands:Kluwer Academic Publisher,1990:589-623.
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